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中科院 1區(qū) 期刊 JCR Q1 期刊 中科院 2區(qū) 期刊 JCR Q2 期刊 中科院 3區(qū) 期刊 JCR Q3 期刊 中科院 4區(qū) 期刊 JCR Q4 期刊Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing SCIE
國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)：IEEE T SEMICONDUCT M 參考譯名：半導(dǎo)體制造的IEEE交易
主要研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣 非預(yù)警期刊 審稿周期： 約6.0個(gè)月
《半導(dǎo)體制造的IEEE交易》(Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究特色的國(guó)際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評(píng)論文章和綜述文章，及時(shí)報(bào)道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實(shí)踐和應(yīng)用學(xué)科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進(jìn)該學(xué)科領(lǐng)域科學(xué)信息的快速交流。該期刊是一本未開(kāi)放期刊，近三年沒(méi)有被列入預(yù)警名單。
- 3區(qū) 中科院分區(qū)
- Q2 JCR分區(qū)
- 74 年發(fā)文量
- 2.3 IF影響因子
- 未開(kāi)放 是否OA
- 59 H-index
- 1988 創(chuàng)刊年份
- Quarterly 出版周期
- English 出版語(yǔ)言
The IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing addresses the challenging problems of manufacturing complex microelectronic components, especially very large scale integrated circuits (VLSI). Manufacturing these products requires precision micropatterning, precise control of materials properties, ultraclean work environments, and complex interactions of chemical, physical, electrical and mechanical processes.
Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing期刊信息
- ISSN：0894-6507
- 出版語(yǔ)言：English
- 是否OA：未開(kāi)放
- E-ISSN：1558-2345
- 出版地區(qū)：UNITED STATES
- 是否預(yù)警：否
- 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
- 出版周期：Quarterly
- 創(chuàng)刊時(shí)間：1988
- 開(kāi)源占比：0.106
- Gold OA文章占比：4.67%
- OA被引用占比：0
- 出版國(guó)人文章占比：0.13
- 出版撤稿占比：0
- 研究類(lèi)文章占比：97.30%
Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing CiteScore評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||||||||||
| 5.2 | 0.967 | 1.237 |
|
名詞解釋?zhuān)?/b>CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個(gè)指標(biāo)。當(dāng)年CiteScore 的計(jì)算依據(jù)是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計(jì)算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對(duì)2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻(xiàn)數(shù)量 注：文獻(xiàn)類(lèi)型包括：文章、評(píng)論、會(huì)議論文、書(shū)籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。
Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing中科院評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)
中科院 2023年12月升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類(lèi)學(xué)科 | 小類(lèi)學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2022年12月升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類(lèi)學(xué)科 | 小類(lèi)學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 4區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2021年12月舊的升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類(lèi)學(xué)科 | 小類(lèi)學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2021年12月基礎(chǔ)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類(lèi)學(xué)科 | 小類(lèi)學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2021年12月升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類(lèi)學(xué)科 | 小類(lèi)學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2020年12月舊的升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類(lèi)學(xué)科 | 小類(lèi)學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 | 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) |
Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing JCR評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 175 / 352 |
50.4% |
| 學(xué)科：ENGINEERING, MANUFACTURING | SCIE | Q3 | 41 / 68 |
40.4% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 100 / 179 |
44.4% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 45 / 79 |
43.7% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 183 / 354 |
48.45% |
| 學(xué)科：ENGINEERING, MANUFACTURING | SCIE | Q3 | 35 / 68 |
49.26% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 92 / 179 |
48.88% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q2 | 33 / 79 |
58.86% |
Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)
影響因子
中科院分區(qū)
Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing中國(guó)學(xué)者發(fā)文選摘
-
1、Improvement of Rough Interface Between Barrier/Seed Layer and Porous Ultralow k Film for 28nm Technological Node and Beyond
Author: jdzhm
Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 2016.
Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing同類(lèi)期刊
-
應(yīng)用熱工
Applied Thermal Engineering
中科院 2區(qū) JCR Q1
-
熱科學(xué)與工程進(jìn)展
Thermal Science And Engineering Progress
中科院 3區(qū) JCR Q1
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巖土學(xué)報(bào)
Acta Geotechnica
中科院 1區(qū) JCR Q1
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分離純化技術(shù)
Separation And Purification Technology
中科院 1區(qū) JCR Q1
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IEEE工業(yè)電子交易
Ieee Transactions On Industrial Electronics
中科院 1區(qū) JCR Q1
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工程快報(bào)
Engineering Letters
中科院 4區(qū) JCR Q4
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科學(xué)儀器回顧
Review Of Scientific Instruments
中科院 4區(qū) JCR Q3
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國(guó)際熱科學(xué)雜志
International Journal Of Thermal Sciences
中科院 2區(qū) JCR Q1
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